高純納米硅

1. 制備技術：等離子氣相裂解反應

2. 平均粒度： 60-70納米

3. 純 度： >4N

4. 比表面積： >25 m²/g

5. 雜質含量：

Al: <1ppm

Fe: <10ppm

Ca: <1ppm

As: <0.05ppm

B: <0.05ppm

P: <0.5ppm

Other <0.05ppm

高純納米氮化硅

1. 制備技術：等離子氣相裂解反應

2. 平均粒度： 60-70納米

3. 純 度： >99%

4. 比表面積： >22.5 m2/g

5. 雜質含量：

N: 36-38%

O: < 0.8%

Cl: < 0.8%

Al: <30ppm

Fe: <100ppm

Ca: <10ppm

Other＜1ppm

高純納米氮化鈦

1. 制備技術：等離子氣相裂解反應

2. 平均粒度： 20納米

3. 純 度： >99%

4. 比表面積： >45 m2/g

5. 雜質含量：

N: 21.7-23.25%

Ti: 76.2-77.76%

O: < 0.8%

Cl: < 0.8%

Al: <30ppm

Fe: <100ppm

Ca: <10ppm

Other＜1ppm